【摘 要】
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在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰pSi电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20min时,Pd颗粒的直径约为80nm.XRD测试结果
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室
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在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰pSi电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20min时,Pd颗粒的直径约为80nm.XRD测试结果表明,Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37nm.重点研究了Pd/pSi电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/pSi电极的析氢过电位较无光照减小约250mV,比半导体Si减小约450mV(电流密度为2.5mA·cm-2时).电化学交流阻抗谱(EIS)表明,光照下Pd/pSi电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12Ω·cm2降低至442.20Ω·cm2,光照下的析氢反应速率明显增加.
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