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采用工业用直流脉冲等离子体增强化学气相沉积PCVD技术在硅烷、氢气和氮气的混合气氛下成功制备了Ti Si N涂层,重点讨论了混合气体比例对薄膜性能的影响。结果表明：当混合气体中H2∶N2为4∶1、硅烷流量为2sccm时,Ti N/Ti Si N涂层中硅含量为8.01at%,此时,获得此工艺薄膜的最高硬度为28GPa。