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一粒稻谷在田间
【出 处】
:
民族文学
【发表日期】
:
2020年3期
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期刊
采用的Si/SiGePMOSFET结构增加沟道内空穴的迁移率,从而提高跨导、减小PMOS管版图面积,提高芯片的集成度、降低功耗.首先在一定近似条件下,建立了一个简单的SiGePMOSFET的解析模