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采用解析的方法研究了应变Si1-xGe层中本征载流子浓度ni与Ge组分x、温度T、掺杂浓度Ⅳ的定量依赖关系；拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下，本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大，并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下，本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加，本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。