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利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了Al含量对局域在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响．结果表明，随着Al含量的增加，GaN／AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强，势垒变高，载流子受到的约束增强，激子结合能增加，电子-空穴的复合率先增大后减小，且存在最大值．对给定体积的量子点，随其高度的变化激子结合能存在最大值，相应的电子-空穴被最有效约束，激子态最稳定。