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计及电容式RF MEMS 开关膜片上电场分布的边缘场效应后,很难建立高保真的开关自驱动失效阈值功率解析模型.因此,采用膜片承受射频信号功率的面积（A RF）和膜片与传输线的正对面积（A ）的比值构建优值（FoM）,以表征膜片上电场分布的边缘场效应强弱.利用HFSS 软件建立了开关自驱动失效的三维电磁模型;以一种常见的开关构型为案例,仿真得到了多种射频信号功率（P in）和开关气隙高度（g 0）条件下膜片边缘电场分布,并与优值计算结果进行了对比验证,初步证明了采用优值A RF/A 表征膜片上电场分布的边缘场