【摘 要】
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采用一次烧成法制备了掺杂SrTiO3晶界层电容器。首次注意到SrTiO3晶界层电容器的介电常数Keff和击穿电压VBK间存在lnKeff∝(-VBK1/3)的实验关系。借助于改进的双层晶界势垒模
【机 构】
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石家庄铁道学院桥梁系; 天津大学材料系;
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采用一次烧成法制备了掺杂SrTiO3晶界层电容器。首次注意到SrTiO3晶界层电容器的介电常数Keff和击穿电压VBK间存在lnKeff∝(-VBK1/3)的实验关系。借助于改进的双层晶界势垒模型和氧化动力学过程,对这种Keff-VBK关系作了定量计算。计算的Keff-VBK关系和实验结果最大误差不超过7％。阐明了提高SrTiO3晶界层电容器击穿强度的可能途径。
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