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以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源，利用低压化学气相沉积工艺（LPCVD）在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜。考察了工艺参数对沉积速率的影响，并对薄膜的组成、结构及硬度等性能进行了分析。结果表明，当载气为N2或N2＋H2、沉积温度为800℃、NH3／HSiCl3流量比为4时是较佳的工艺条件，此时薄膜沉积速率可达23．4nm／min，其膜层主要由Si-N组成，并含有部分Si-O，硬度为HV2865。