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CZSi中掺入等价元素锗，能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时，抑制杆状氧沉淀的生成，在900℃退火时，锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明，锗并不作为氧沉淀的成核中心，氧沉淀及其衍生的二次缺陷中也不包含锗。文中对锗影响氧沉淀的成核与形态进行了简要的讨论。
锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响
【摘 要】
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CZSi中掺入等价元素锗，能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时，抑制杆状氧沉淀的生成，在900℃退火时，锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明
【机 构】
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河北工业大学半导体材料研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年1期
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