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本文在研究光电耦合器工作原理、辐照理论及1／f噪声理论的基础上，分析了光电耦合器辐照噪声产生机理及特性，建立了光电耦合器总剂量辐照损伤噪声模型．研究结果表明，随着辐照总剂量增强，LED及光敏管氧化层中引入的氧化层陷阱密度增多，载流子数涨落增强，从而使电压噪声功率谱密度增加．实验结果验证理论分析的正确性，电压噪声功率谱密度可作为光电耦合器辐照损伤表征参量．