煅烧温度对TiO2／Si光电效应的影响

来源 :福州大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xingyunzhixingkirk

【摘要】

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采用溶胶-凝胶法在P-型单晶硅的表面镀上一层TiO2薄膜,并在200-900℃下煅烧得到TiO2/Si复合材料.研究结果发现,经不同温度煅烧得到的TiO2/Si复合材料中TiO2的晶相结构以及复

【作者】

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陈顺玉李旦振付贤智刘平

【机构】

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福州大学光催化研究所

【出处】

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福州大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2001年6期

【关键词】

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溶胶-凝胶法 TiO2/Si 煅烧温度光电效应半导体材料二氧化钛硅光电压 sol-gel method TiO2/Si calcining tem

【基金项目】

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国家自然科学基金，福建省自然科学基金，教育部留学回国人员科研启动基金

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采用溶胶-凝胶法在P-型单晶硅的表面镀上一层TiO2薄膜,并在200-900℃下煅烧得到TiO2/Si复合材料.研究结果发现,经不同温度煅烧得到的TiO2/Si复合材料中TiO2的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同,其光电响应特性亦不同.经400℃煅烧得到的复合材料的光电压最强,相对于单晶硅约提高了3个数量级.

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