【摘 要】
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利用等离子体对硅衬底上热生长SiO2薄膜进行表面处理,提高了二氧化硅薄膜驻极体电荷的储存稳定性。不同种类的等离子体处理,效果明显不同。同种等离子体处理的时间不同,对电
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利用等离子体对硅衬底上热生长SiO2薄膜进行表面处理,提高了二氧化硅薄膜驻极体电荷的储存稳定性。不同种类的等离子体处理,效果明显不同。同种等离子体处理的时间不同,对电荷储存性能的改善也不同。氩等离子体处理具有最佳效果。经15min700V电压起弧的氩等离子体处理,热生长二氧化硅薄膜驻极体的充电电荷在150℃下有很好的存储稳定性,达到化学表面修正的同等效果。实验结果表明,氩等离子体处理改变了SiO2薄膜表面的亲水性,有效地阻止了因水汽在表面附着引起表面电导增大造成的驻极化电荷流失。另外,等离子体轰击在薄膜的近表面引入了电荷陷阱,使俘获的驻极化电荷能较稳定地保存。
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