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利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析，优化了薄膜的生长条件，长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜，并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力，而生长结束后一次退火却引入了压应力。
XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
【摘 要】
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利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析，优化了薄膜的生长条件，长出了半高宽仅为0.15°的单一取向
【机 构】
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吉林大学电子工程系,美国西北大学材料研究中心
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金，吉林省科研项目
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