【摘 要】
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本文采用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描处理,在硅表面制备出平行排列并具有微尺度沟槽的黑硅材料.在扫描电子显微镜下,观察到了黑硅的纳米尺度的二级结构.通过黑硅的反射
【机 构】
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北京工业大学激光工程研究院,北京,100124
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本文采用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描处理,在硅表面制备出平行排列并具有微尺度沟槽的黑硅材料.在扫描电子显微镜下,观察到了黑硅的纳米尺度的二级结构.通过黑硅的反射光谱发现,在250～1000 nm光谱区域的反射率明显降低,且沟槽越深,反射率越低.同时,对沟槽深度与反射率的关系以及二级纳米结构的形貌进行了讨论.通过黑硅的拉曼光谱发现,飞秒激光处理后的硅片没有发生成分和结构上的变化,黑硅的成分依然是单晶硅.
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