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采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料，利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片（100）表面形成圆形Si3N4掩膜，然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料。首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀，刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌；后期利用金纳米颗粒作为催化剂，采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性，在硅片表面形成多孔结构。这种黑硅材料在250～1000nm波段的光吸收率可以达到95％以上。