【摘 要】
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讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和CMOS准浮栅技术的两种超低压CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析.在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100
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讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和CMOS准浮栅技术的两种超低压CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析.在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为33.2 dB和28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB
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