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为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性。首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ＿３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外廷生长ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附。结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能带弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。