深亚微米下系统级芯片的物理设计实例

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sqtian

【摘要】

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深亚微米下芯片的物理设计面临很多挑战,特别是对于超大规模的SOC,比如互连延迟(Interconnect delay)、信号完整性(SI)、电压降(IR-Drop)与电迁移(EM)、第三方IP集成,等等.应

【作者】

：

曾宏曾璇闵昊

【机构】

：

复旦大学

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

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深亚微米系统级芯片设计收敛时序驱动 Ultra deep submicron technology System-on-a-chip Design clo

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深亚微米下芯片的物理设计面临很多挑战,特别是对于超大规模的SOC,比如互连延迟(Interconnect delay)、信号完整性(SI)、电压降(IR-Drop)与电迁移(EM)、第三方IP集成,等等.应对这些问题,在后端设计流程上要有新的方法.文章以一块0.18 μm工艺下200万门无线数据传输芯片的物理设计为例,介绍了其中的关键设计步骤和一些解决问题的方案,可为其他类似的设计提供参考.

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