高迁移率AlGaN—GaN二维电子气

来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jlckyang123

【摘要】

：

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ，而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ；该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ，而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到

【作者】

：

刘祥林王成新

【机构】

：

中国科学院半导体材料开放实验室

【出处】

：

高技术通讯

【发表日期】

：

2000年6期

【关键词】

：

GAN 2DEG MOVPE 宽禁带材料外延 GaN 2DEG MOVPE

【基金项目】

：

863计划!( 8637150 0 1 0 0 10 ),国家自然科学基金!(6978960 1)资助项目

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