【摘 要】
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介绍了n^＋-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n^＋-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离（0001）方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n^＋-SiC/
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介绍了n^＋-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n^＋-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离（0001）方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n^＋-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最小的比接触电阻为2.59×10^-6Ω·cm^2,满足器件性能,为各种SiC器件的实现奠定了基础。同时,该接触系统还具有很好的高温稳定性,在100 h的400℃高温存储实验后,其比接触电阻基本稳定。
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