【摘 要】
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为了改善半导体激光器的散热性能,在C-mount封装的基础上添加了高热导率碳化硅(silicon carbide,SiC)材料作为过渡热沉.通过有限元分析的方式获得最优SiC结构参数:厚度为0.4
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
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为了改善半导体激光器的散热性能,在C-mount封装的基础上添加了高热导率碳化硅(silicon carbide,SiC)材料作为过渡热沉.通过有限元分析的方式获得最优SiC结构参数:厚度为0.4 mm,高度为1.9 mm,宽度为6.35 mm.选取波长为808 nm、功率为10 W、腔长为1.5 mm的芯片并对其进行封装,对设计结果进行理论热模拟及实验测试.通过实验测试验证了仿真模拟结果,实验结果为:激光器热阻、输出功率、电光转换效率分别为4.08 ℃/W、17.8 W、61.5％.验证了SiC结构参数设计的可行性,相比传统激光器热而言,本文设计方案使半导体激光器的热阻降低了0.49 ℃/W、功率与电光转化效率提高了10％.
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