N^＋注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xzy200611519

【摘要】

：

植物幼苗主根、侧根及下胚轴的生长和根冠比值的大小是幼苗耐旱的重要特征.对甘草干种子注入能量为25 kev、注量为600×2.6×1013-3600×2.6×1013/cm2的N+,

【作者】

：

魏胜林张祥胜

【机构】

：

中国科学院等离子体物理研究所、中国科学院离子束生物工程学重点实验室,中国科学院等离子体物理研究所、中国科学院离子束生物工程学重点实验室

【出处】

：

核技术

【发表日期】

：

2004年11期

【关键词】

：

N注入甘草根发育耐旱特征 N+ implantation Liquorice (Glycyrrhiza uralensis Fisch) Root d

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

植物幼苗主根、侧根及下胚轴的生长和根冠比值的大小是幼苗耐旱的重要特征.对甘草干种子注入能量为25 kev、注量为600×2.6×1013-3600×2.6×1013/cm2的N+,其中1800×2.6×1013/cm2的N+注入量能有效提高甘草6 d幼苗的主根生长和30 d幼苗根冠比干重和鲜重,促进侧根发生;也能明显刺激6 d和30 d幼苗的下胚轴和主根、茎高的生长.该参数可以作为沙漠化地区建立甘草植被发挥离子束注入当代效应的N+辐照的能量、注量

其他文献

立足乡情抓扶贫——宁蒗县永宁坪乡大干洋芋产业纪实

永宁坪是国家级贫困县--宁蒗彝族自治县的一个纯彝族居住的山区民族贫困乡.三条梁子两条河构成了全乡的基本地形地貌.乡内沟壑纵横,梁峁起伏,土地贫瘠,信息闭塞,村落分散,旱

期刊

洋芋产业宁蒗县洋芋经济科技进步经济发展

1．55MeV^3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分

期刊

单晶SiMeV级^3He离子注入气泡团簇空腔透射电镜Crystalline silicon MeV level He implantation B

浅谈解放思想与建立科技型企业新体制、新机制

期刊

科研机构体制改革建立科技型企业创新体系运行机制