【摘 要】
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基于第一性原理自旋极化密度泛函计算了O,Mn单掺杂和Mn-O共掺杂MoS_2单层系统的电子结构、磁性和光学性质.在Mn和Mn-O掺杂后,由于自旋向上通道中杂质带的出现,导致MoS_2单层
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵州理工学院,贵州财经大学信息学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金(61564002,11664005),贵州省科技计划项目(黔科合基础[2017]1055),贵州大学引进人才科研项目(贵大人基合字[2015]23号),开放基金项目(KFJJ201603)
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基于第一性原理自旋极化密度泛函计算了O,Mn单掺杂和Mn-O共掺杂MoS_2单层系统的电子结构、磁性和光学性质.在Mn和Mn-O掺杂后,由于自旋向上通道中杂质带的出现,导致MoS_2单层系统从自旋向上和自旋向下态密度完全对称的非磁性半导体转变为磁矩1μB和1.08μB的铁磁半导体,磁矩主要集中在掺杂的Mn原子上,而自旋向下通道仍保持半导体特征,其自旋间隙分别为1.613和0.396eV.同时发现Mn-O共掺杂后,在低能量区域(0~2.5eV),其介电常数、折射系数和吸收系数相比未掺杂和O单掺杂的MoS_2
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