【摘 要】
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用传统固相合成方法制备了Pb（sn1/3Nb2/3）O3-Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-PbZrO3-PbTiO3（简写为PSN-PZN-PZT）四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的
【机 构】
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天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学化工学院
【基金项目】
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国家自然科学重点基金资助项目（102320300）.
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用传统固相合成方法制备了Pb（sn1/3Nb2/3）O3-Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-PbZrO3-PbTiO3（简写为PSN-PZN-PZT）四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr^3＋、Cr^5＋存在.且
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