基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

来源 :湘潭大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liyin900101

【摘要】

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该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜

【作者】

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王岛张岩邹正淼王佳丽陆旭兵

【机构】

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华南师范大学华南先进光电子研究院

【出处】

：

湘潭大学学报:自然科学版

【发表日期】

：

2019年5期

【关键词】

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Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能金属盖层原子层沉积 Hf0.5Zr0.5O2 thin filmsferroelectric propertiesme

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目(51431006),华南师范大学研究生科研创新计划项目(2018LKXM014)

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该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相.系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响.极化-电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度(2Pr)值分别为40.4μC/cm^2和21.2μC/cm^2.相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V

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