【摘 要】
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利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(Vo,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同
【机 构】
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中国科学技术大学近代物理系核固体实验室,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
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利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(Vo,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位(Vo)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷.PO2＞70%时,这些ZnO样品中缺陷以Zn空位(VZn)为主.随着反应室中O2含量的增加,样品的Zn空位(VZn)浓度逐渐增加;当PO2为85%时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2低于50%,材料中H原
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