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采用等离子化学汽相溶积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ，用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯＸ，Ｃ ３００－９３５℃快速热退火。
掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光
【摘 要】
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采用等离子化学汽相溶积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ，用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯＸ，Ｃ ３００－９３５℃快速热退火。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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