论文部分内容阅读
精确提取三维芯片中硅通孔（Through Silicon Via,TSV）电容在三维芯片设计中至关重要.使用后钻孔工艺（Via last technology）制造的TSV将贯穿导体层,使得TSV和互连线之间的耦合电容需要精确建模.文中提出的解析公式方法可以快速提取圆柱形TSV与互连线间的二维耦合电容.对于较短的互连线,文中采用基于最小二乘拟合得到的解析公式,而对于较长的互连线,使用基于电场模拟得到的解析公式.数值实验表明和商业软件Raphael相比,文中方法可以在结果误差不超过9.1％的情况下获得至少三