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采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9eV.在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低.在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层.Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响.