【摘 要】
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中国台湾地区晶圆代工厂联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。联电计划今年试生产45纳米芯片。该公司表示,与其65纳米工艺相比,新
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中国台湾地区晶圆代工厂联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。联电计划今年试生产45纳米芯片。该公司表示,与其65纳米工艺相比,新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%,性能提高了30%。随着芯片设计师的注意力转向45纳米,他们?
Taiwan foundry UMC UMC has exceeded the key 45-nanometer process barriers to produce a SRAM cell size of less than 0.25 square microns. UMC plans to trial production of 45-nanometer chips this year. The company said the 6-transistor SRAM cells in the new 45nm process have been reduced in size by 50% and performance by 30% over their 65nm process. As the chip designers turn their attention to 45 nanometers, they?
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