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2013年4月15日消息，曾经有客户希望台积电的工艺更新换代步伐能够放缓一些，但无论从技术还是从商业角度讲，台积电显然都不可能这么做，甚至还要加快速度，已经决定将16nmFinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用极紫外光刻技术制造10nm的芯片。台积电此举显然是为了应付GlobalFoundries、三星电子的激烈竞争，这两家代工厂都已经宣布很快就会上马FinFET立体晶体管技术。台积电原计划在2014年底到2015年初量产16nm，现在看起来明年年中就有可能提前