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应变工程在提升Gc器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Gc电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨遒相互作用和应变效应的30k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关系,研究了单轴应变锗导带能谷分裂与偏移、纵向和横向电子有效质量、电子态密度有效质量等随应力的变化情况.计算结果表明：在[001]、[111]方向单轴张应力作用下,锗由间接带隙转变成直接带隙;导带L和△能谷纵向、横向电子有效质量并不明显依赖于单轴应力,但沿[111和[001]方