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本文研究了基于MEMS开关的ET结构OFDM功率放大器，采用预失真功率放大器的结构可提高功率放大器效率。分析OFDM的发射标准，利用低损耗，高隔离度的MEMS开关来实现ET结构电压选择。利用GaN HEMT（Heterostructure Field—Effect Transistors）RF3821晶体管建立了基于MEMS开关的ET结构的PA模型，进行了实际电路设计，并利用了ADS软件进行仿真分析，输入1W的OFDM信号时，漏极效率为52％，EVM约为2．94％，输出功率为50W，增益为13dB．该功率