等离子体状态对PECVD SiC薄膜微结构的影响

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【摘要】

：

在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数--等离子体成分及离子能量

【作者】

：

王静静廖波刘维王波宋雪梅严辉

【机构】

：

北京理工大学,北京工业大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

工作气压氢稀释度 PECVD 等离子体成分离子能量微结构 SIC薄膜 work pressure H_2concentration β- SiC P

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在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数--等离子体成分及离子能量来起作用的.在此基础上,讨论了等离子体状态在SiC薄膜微结构从非晶转化为纳米晶过程中的作用,发现可以通过控制等离子体成分及离子能量来得到可用于场发射阴极的纳米晶SiC薄膜.

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