90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong482

【摘要】

：

研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号（randomtele-graph signal,RTS）噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区R

【作者】

：

鲍立庄奕琪马晓华包军林

【机构】

：

西安电子科技大学微电子学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年9期

【关键词】

：

RTS 幅度深亚微米 MOS RTS amplitude deep sub-micron MOS

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号（randomtele-graph signal,RTS）噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.

其他文献

二氧化硅光波导刻蚀参量及掩膜的优化

硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件．采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究，获得了刻蚀速率及刻蚀选择比相对各工艺参数变化的三维神经

期刊

反应离子刻蚀硅基二氧化硅光波导三维神经网格reactive ion etchingsilica-on-silicon optical waveguide

美国金融危机后我国金融改革开放策略——兼论上海国际金融中心建设

美国金融危机暴露出金融运行中的种种缺陷，这应该引起我们的高度警惕。我国的经济金融运行环境与美国存在巨大差异，我国既定的改革开放策略不应改变。在推进上海国际金融中心建

期刊

金融危机金融改革金融中心financial crisis financial reform financial center

高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极

研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响．通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品．其中一组采用了均匀掺杂的单层结构，Be掺杂浓度为1×10^19cm^-3

期刊

积分光电灵敏度多层结构负电子亲和势光电阴极扩散长度表面逸出几率integrated photosensitivity muhilayer struc

90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度

其他学术论文