Ga在SiO2-Si复合结构中的热分布研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cyc528528

【摘要】

：

用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂

【作者】

：

裴素华孙海波修显武张晓华江玉清

【机构】

：

山东师范大学

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

GA SiO2-Si结构浓度分布 Ga SiO2/Si structure concentration distribution

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用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论.

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