【摘 要】
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本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA
【机 构】
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本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．
In this paper, for the first time, a dual Schottky barrier enhancement layer technology is used to fabricate an InGaAsMSMS-PD photodetector. The actual structure shows that the device with 15nm P-InP and 100nmInP dual barrier enhancement layer greatly reduces the dark current, the device’s dark current is less than 10nA, the responsivity is 0.83A / W and the FWHM is 70ps, which proves that Is an effective design method to reduce the dark current of MSM-PD.
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