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讨论了反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜, 并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的GaN薄膜。
Si基的RICBD法生长GaN薄膜
【摘 要】
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讨论了反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜, 并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的GaN薄
【机 构】
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武汉大学物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年1期
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