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在室温下，采用射频磁控溅射法在P型Si（111）衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱（XPS）分析了HfSiON薄膜的成分，用掠入射X射线衍射（XRD）检测了薄膜的结构，用高分辨率扫描电子显微镜（HRSEM）、原子力显微镜（AFM）观察了薄膜断面和表面形貌。XRD谱显示，HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态。HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜具有非常平整的表面，表明薄膜具有优良的热稳定性。电学测试表明，HfSiON薄膜具有较好的介电特性，其介电常数较高为18，