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绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insulator)作为CMOS的改进技术,于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺,以及减小器件尺寸.SOI材料最初是用于小规模的利基(niche)市场,主要是军用.
SOI晶圆制造技术及发展趋势
【摘 要】
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绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insulator)作为CMOS的改进技术,于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺,以及减小器件尺寸.SOI
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2005年2期
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