深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

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【摘要】

：

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、

【作者】

：

张同意石顺祥赵卫龚仁喜孙艳玲

【机构】

：

西安电子科技大学,中国科学院西安光机所

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

光导半导体开关非线性工作模式深能级杂质模型数值分析 PCSS Nonlinear operational modes Deep level impurit

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建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.

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