Si—SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：erywwb

【摘要】

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根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这

【作者】

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胡辉勇张鹤鸣贾新章戴显英宣荣喜

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年5期

【关键词】

：

SI-SIGE 三维 CMOS 集成电路 Si-SiGe three-dimensional CMOS integrated circuits

【基金项目】

：

国家预研基金资助项目（批准号：51308040203,51408061105DZ0171）

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根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这样,电路的本征性能将由SinMOS决定.使用MEDICI软件对Si-SiGe材料三维CMOS器件及Si-SiGe三维CMOS反相器的电学特性分别进行了模拟分析.模拟结果表明,与Si-Si三维CMOS结构相比,文中提出的Si-SiGe材料三维CMOS集成电路结构具有明显的速度优势.

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