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因其设备简单、沉积速率高等特点,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中.但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时,为了得到化学配比的膜层,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大.为此对原有的微波-ECR等离子体源进行了改造.研究了双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性,并用该方法制备了氮化碳膜.结果表明:该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术;用该方法制备的氮化碳膜,化学成分接近化学配比.