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论述了一种利用0.35μm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL).该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步.本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果.
用0.35μmCMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL
【摘 要】
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论述了一种利用0.35μm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL).该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步.本文介绍了其应用背景,给出了DLL的
【机 构】
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华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2003年4期
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