【摘 要】
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Ｋａ波段ＧａＡｓＨＢＴＰＩＮ二极管开关和移相器在要求开关速度快、功率处理能力强的微波电路领域，ＰＩＮ二极管的工艺简单，用ＨＢＴ材料体系中的基区层（ｐ＋）、集电区层（ｎ－）和集电区第二层（ｎ－）就可容易地制成，因而使含有开发、移
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Ｋａ波段ＧａＡｓＨＢＴＰＩＮ二极管开关和移相器在要求开关速度快、功率处理能力强的微波电路领域，ＰＩＮ二极管的工艺简单，用ＨＢＴ材料体系中的基区层（ｐ＋）、集电区层（ｎ－）和集电区第二层（ｎ－）就可容易地制成，因而使含有开发、移相器和放大器的多功能组件...
Ka Band GaAsHBTPIN Diode Switches and Phase Shifters In the field of microwave circuits that require fast switching and high power handling capability, the PIN diode process is simple. The base layer (p +), the collector layer (n- ) And the second layer (n-) of the collector can be easily manufactured, so that a multi-functional module including a development, a phase shifter and an amplifier ...
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