【摘 要】
：
FinFET作为22nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注。不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10nm尺度下鳍形状对器件性能参数的
论文部分内容阅读
FinFET作为22nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注。不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10nm尺度下鳍形状对器件性能参数的影响,通过对阈值电压、开关电流比、泄漏电流等基本参数的综合考虑,给出了鳍形状的优化设计。在此基础上,优化沟道掺杂浓度,平衡了阈值电压与开关电流比,使器件具有了优秀的性能,适用于数字电路的设计应用。
其他文献
采用第一性原理赝势平面波方法研究了La掺杂ZnS体系的电子结构与稳定性。通过对掺杂前后各模型的形成热、结合能、能带结构、态密度、Mulliken电荷和键重叠聚居数的计算与分
高等职业院校如何完善审计专业的审计实践性教学，加强专业技能训练，提高实践性教育的成效，成为审计教育工作者需要研究的内容。本文通过对目前审计实践教学中存在的问题进行分析
山西省万荣县苹果年产7亿公斤,全县耕地面积有一半用来种植苹果。苹果种植规模上来了,质量也不含糊,万荣建立了38万亩高标准苹果园,研究了清园、拉枝等18道“工艺”,给苹果种
从电子与体纵光学声子（LO声子）体系的哈密顿量出发,采用Huybrenchts的线性组合算符及幺正变换方法研究了在磁场作用下抛物量子线中弱耦合束缚极化子的激发能量、第一内部激发态
实践性教学不仅提高学生的创新能力，而且使教学的形式和内容更加丰富、具体和生动。本文结合高职院校广告设计专业的实际出发，研讨如何走教学与实践相结合的道路，为社会培养更多
介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1 GS／s多奈奎斯特域数模转换器（DAC）。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具
对可持续竞争优势的外生性分析是基于企业同质性假设,把企业看成黑箱.以资源基础论为主流的内生性分析基于企业异质性假设,突破了企业黑箱,但由于提出了过分宽泛的资源概念,
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、
加强对高职院校实践教学体系构建与实践教学基地建设的理论研究与实践探索，有助于高职教育的健康发展和高职应用性专业技术人才培养目标的实现。