沉积含Si过渡层对于不锈钢上沉积的DLC薄膜的性能影响

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【摘要】

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本文介绍了采用RF-PECVD法在3Cr13不锈钢基体圆片上沉积制备类金刚石多层膜,其内层薄膜为掺Si的过渡层,外层为不同厚度的在50nm～1000 nm之间的类金刚石薄膜(DLC).实验结果表明

【作者】

：

崔砚柳文涛闫春和

【机构】

：

北京航天控制仪器研究所

【出处】

：

导航与控制

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

DLC薄膜 RF-PECVD 含Si过渡层 DLC film RF-PECVD Si-doped transition layer

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本文介绍了采用RF-PECVD法在3Cr13不锈钢基体圆片上沉积制备类金刚石多层膜,其内层薄膜为掺Si的过渡层,外层为不同厚度的在50nm～1000 nm之间的类金刚石薄膜(DLC).实验结果表明沉积过渡层可以有效提高薄膜与基体的结合力.类金刚石薄膜的摩擦系数和薄膜在摩擦过程中的损坏情况都与外层薄膜的厚度有关.

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