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采用13．56MHz的射频等离子体聚合装置，以四甲基二硅氧烷（TMDSO）为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体，在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜。在薄膜的制备工艺研究中，通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数，研究氧化硅薄膜的沉积速率；通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）、原子力显微镜（AFM）等分析了沉积膜的化学组成和结合状态；利用接触角测定仪测量薄膜的接触角，从而计算薄膜的表面能，最终从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能