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采用MBE差分外延生长SiGeHBT基区，等平面隔离，多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺，实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器（LNA），获得了1．7GHz的带宽，23dB的增益和3．5dB的噪声系数。
一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器
【摘 要】
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采用MBE差分外延生长SiGeHBT基区，等平面隔离，多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺，实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器（LNA），获得了1．7GHz的带宽
【机 构】
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模拟集成电路国家重点实验室、中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2006年5期
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