微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展(续)

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yanglsm

【摘要】

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<正>3 MMIC技术在芯片上由GaN HEMT有源器件和无源元件(如MIM电容、薄膜电阻和衬底上的通孔等)所组成的微波单片集成电路(MMIC)和GaN HEMT分立晶体管几乎同步发展,MMIC技术的

【作者】

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赵正平

【机构】

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中国电子科技集团公司,专用集成电路重点实验室,

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

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2015年02期

【关键词】

：

新进展功率放大器毫米波 GaN HEMT

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<正>3 MMIC技术在芯片上由GaN HEMT有源器件和无源元件(如MIM电容、薄膜电阻和衬底上的通孔等)所组成的微波单片集成电路(MMIC)和GaN HEMT分立晶体管几乎同步发展,MMIC技术的发展使GaN HEMT器件的电路应用能减少体积和质量,适应高频率的需求和批量生产。目前4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片级GaN MMIC加工线已经成熟,

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